반도체 제조장치용 부품

희토류 수산화물의 비산이나 제 1 세라믹스 부재와 제 2 세라믹스 부재의 접합강도의 저하를 억제한다. 반도체 제조장치용 부품은, AlN을 주성분으로 하는 재료에 의해 형성된 제 1 세라믹스 부재와, AlN을 주성분으로 하는 재료에 의해 형성된 제 2 세라믹스 부재와, 상기 제 1 세라믹스 부재와 상기 제 2 세라믹스 부재 사이에 배치되어 상기 제 1 세라믹스 부재와 상기 제 2 세라믹스 부재를 접합하는 접합층을 구비하고, 상기 접합층은 화학식 ABO(단, A는 희토류 원소이고, B는 Al이다.)로 나타내는 페로브스카이트형 산화물을...

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Hauptverfasser: TANGE HIDEO, HOTTA MOTOKI, OGAWA TAKAMICHI, MITSUYA KOHEI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:희토류 수산화물의 비산이나 제 1 세라믹스 부재와 제 2 세라믹스 부재의 접합강도의 저하를 억제한다. 반도체 제조장치용 부품은, AlN을 주성분으로 하는 재료에 의해 형성된 제 1 세라믹스 부재와, AlN을 주성분으로 하는 재료에 의해 형성된 제 2 세라믹스 부재와, 상기 제 1 세라믹스 부재와 상기 제 2 세라믹스 부재 사이에 배치되어 상기 제 1 세라믹스 부재와 상기 제 2 세라믹스 부재를 접합하는 접합층을 구비하고, 상기 접합층은 화학식 ABO(단, A는 희토류 원소이고, B는 Al이다.)로 나타내는 페로브스카이트형 산화물을 포함하고, 희토류 원소와 산소만을 가지는 희토류 단일 산화물을 포함하지 않는다. A semiconductor production device component includes a first ceramic member including an AlN-based material, a second ceramic member including an AlN-based material, and a joint layer disposed between the first ceramic member and the second ceramic member so as to join the first ceramic member and the second ceramic member to each other, wherein the joint layer includes a perovskite oxide represented by ABO3 (wherein A is a rare earth element, and B is Al) and includes no rare earth single oxide containing exclusively a rare earth element and oxygen.