REFLECTIVE MASK BLANK AND REFLECTIVE MASK

Provided is a reflective mask blank having an absorption film having a sufficient etching rate in an etching process. The reflective mask blank comprises a multilayer reflective film for reflecting EUV light on a substrate, and an absorbing film for absorbing EUV light in order, wherein the absorbing film is a tantalum-based material film containing a tantalum-based material, wherein the absorption film has a peak diffraction angle 2θ of a peak derived from the tantalum-based material of 36.8 deg or more and a half-width of a peak derived from the tantalum material of 1.5 deg or more in an X-ray diffraction pattern. 에칭 처리 시에 충분한 에칭 속도를 갖는 흡수막을 구비한 반사형 마스크 블랭크의 제공. 기판 상에 EUV광을 반사하는 다층 반사막과, EUV광을 흡수하는 흡수막을 이 순서대로 구비하는 반사형 마스크 블랭크이며, 상기 흡수막은 탄탈계 재료를 포함하는 탄탈계 재료막이며, 상기 흡수막은, X선 회절의 패턴에 있어서 탄탈계 재료에서 유래되는 피크의 피크 회절각 2θ가 36.8deg 이상이며, 해당 탄탈계 재료에서 유래되는 피크의 반값폭이 1.5deg 이상인 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.