Method for controlling an contamination of a surface of an epitaxial wafer
Provided is a method for controlling the contamination of an epitaxial wafer surface comprising: a step of cooling down; a step of controlling a temperature of a process chamber on the basis of a cooling-down target temperature; a step of measuring motion data of a wafer disposed within the temperat...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; kor |
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| Zusammenfassung: | Provided is a method for controlling the contamination of an epitaxial wafer surface comprising: a step of cooling down; a step of controlling a temperature of a process chamber on the basis of a cooling-down target temperature; a step of measuring motion data of a wafer disposed within the temperature controlled process chamber; and a step of unloading the wafer from the process chamber.
실시예는 쿨 다운 단계, 상기 쿨 다운 타겟 온도에 기초하여 프로세스 챔버의 온도를 제어하는 단계, 상기 온도가 제어된 프로세서 챔버 내에 배치된 웨이퍼의 모션 데이터를 측정하는 단계, 상기 웨이퍼를 상기 프로세스 챔버로부터 언로딩하는 단계를 포함하는 에피텍셜 웨이퍼 표면 오염 제어 방법을 제공한다. |
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