전자 현미경 장치 및 그것을 이용한 경사 홀의 측정 방법

반도체 패턴의 홀의 보텀의 윤곽이 시료 표면에서 차폐되었을 경우에도 정확한 경사 상태를 전자 현미경 장치로 측정할 수 있도록 한다. 전자 현미경 장치를, 상대적으로 낮은 에너지의 전자를 검출하는 고앙각으로 배치한 제1 검출 수단, 및 상대적으로 높은 에너지의 전자를 검출하는 저앙각으로 배치한 제2 검출 수단과, 제1 검출기로부터 얻은 제1 화상으로부터, 미리 설정된 영역 내에서 반도체 패턴의 홀 영역을 특정하는 수단과, 제2 검출기로부터 얻은 제2 화상에서, 홀 영역의 외주(外周)와, 외주로부터 홀 중심 방향으로 검출한 구멍 바닥까지의 거리에 의거하여 경사 방위, 및 경사각에 관한 지표를 홀 개별로 산출하는 수단과, 계측 대상 화상에 포함되는 홀 개별로 측정한 결과로부터, 계측 대상 화상의 대표값으로서의 구멍의 경사 방위, 및 구멍의 경사각에 관한 지표를 산출하는 수단을 구비하여 구성한다. An electron microscope device includes: a first detection means disposed at a high elevation angle for detecting electrons having relatively low energy; a second detection means disposed at a low elevation angle for detecting electrons having relatively high energy; a means for identifying, from a first image obtained from a first detector, a hole region in a semiconductor pattern within a preset region; a means for calculating for individual holes, from a second image obtained from a second detector, indexes pertaining to an inclined orientation and an inclination angle, on the basis of the distance between the outer periphery of the hole region and the hole bottom; and a means for calculating, from the results measured for the individual holes, indexes pertaining to an inclined orientation of the hole and an inclination angle of the hole as representative values for the image being measured.