HEAT TREATMENT APPARATUS HEAT TREATMENT METHOD AND STORAGE MEDIUM

Provided are a heat treatment apparatus effective in improvement of uniformity of a film thickness in film formation and a heat treatment method thereof. According to the present invention, the heat treatment apparatus (20) comprises: a processing chamber (31) to receive a wafer (W) which is an object to be processed; a heat treatment unit (50) installed in the processing chamber (31) to support and heat the wafer (W), and having a plurality of heat treatment areas (51) arranged in at least the circumferential direction of the corresponding wafer (W); an air inlet (35) to introduce gas into the processing chamber (31); an air outlet (35) to discharge the gas from the processing chamber (31); a plurality of flow rate sensors (71) arranged in the circumferential direction of the wafer (W) supported in the heat treatment unit (50) to detect the flow rate of gas; and a control unit (100) to control the temperature of the plurality of heat treatment areas (51) based on a temperature distribution in accordance with the flow rate of gas detected by the plurality of flow rate sensors (71). 피막 형성에 있어서의 막 두께의 균일성 향상에 유효한 열처리 장치 및 열처리 방법을 제공한다. 열처리 장치(20)는, 처리 대상인 웨이퍼 W를 수용하는 처리실(31)과, 처리실(31) 내에 설치되어 웨이퍼 W를 지지하고 가열하는 열처리부이며, 당해 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 적어도 배열되는 복수의 열처리 영역(51)을 갖는 열처리부(50)와, 처리실(31) 내에 기체를 도입하는 급기구(35)와, 처리실(31) 내로부터 기체를 배출하는 배기구(34)와, 열처리부(50)에 지지되는 웨이퍼 W의 둘레 방향으로 배열되어 기류의 유속을 검출하는 복수의 유속 센서(71)와, 복수의 유속 센서(71)에 의하여 검출되는 기류의 유속에 따른 온도 분포로 복수의 열처리 영역(51)의 온도를 조절하도록 열처리부(50)를 제어하는 제어부(100)를 구비한다.