다열형 반도체 장치용 배선 부재 및 그 제조 방법

본 발명은 반도체 장치의 박형화, 소형화, 단자부의 도금 피막과 수지의 밀착성의 향상, 내부 단자측 도금층의 면 및 내부 단자부의 높이의 균일화, 수지의 휘어짐 경감, 반도체 장치 제조시의 공정수 삭감, 고신뢰성으로 고수율의 양산화가 가능한 다열형 반도체 장치용 배선 부재를 제공하는 것을 과제로 한다. 수지층(15)의 한쪽 면(15a)의 미리 정해진 부위에 내부 단자가 되는 도금층(11)이 하면이 면(15a)에 노출 상태로 형성되고, 도금층(11)과 접속하는 배선부가 되는 도금층(12)이 형성되고, 도금층(12)의 영역 내에서 부분적으로 외부 단자가 되는 도금층(13)이 상면이 수지층의 다른쪽 면(15b)으로부터 노출 상태로 형성되고, 내부 단자와 배선부와 외부 단자를 구성하는 도금층의 적층체의 측면이 대략 L자형인 반도체 장치용 배선 부재가 매트릭스형으로 배열되고, 수지층의 한쪽 면의, 반도체 장치용 배선 부재의 집합체의 외주 영역에 수지 프레임부(16')가 수지층과 일체 형성되어 있다. A multi-row wiring member for semiconductor device configured of a plurality of wiring members arrayed in a matrix includes a resin layer, a first plating layer forming internal terminals, a plating layer forming wiring portions and a second plating layer forming external terminals. The first plating layer is formed in the resin layer with lower faces thereof uncovered in the bottom surface of the resin layer. The plating layer forming wiring portions is formed on the first plating layer in the resin layer. The second plating layer is formed on partial areas within areas of the plating layer forming wiring portions, with upper faces thereof being uncovered on a top-surface side of the resin layer. On a bottom-surface side of the resin layer, a resin frame is integrally formed with the resin layer at the margin around an aggregate of individual wiring members for semiconductor devices arrayed in a matrix.