X-RAY DETECTER HAVING THE THIN FILM TRANSISTOR

본 발명의 일실시예에 따른 엑스레이 검출기는 기판과, 상기 기판 상에 화소 영역을 정의하기 위해 교차하는 게이트 라인과 리드아웃 라인과, 상기 게이트 라인과 교차하면서, 상기 리드아웃 라인과 평행하게 배치되는 전원라인과, 상기 화소 영역에 배치된 포토다이오드과, 상기 리드아웃 라인이 연결된 소스전극과, 상기 포토다이오드가 연결된 드레인 전극과, 상기 게이트 라인에 전기적으로 연결된 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 전원라인은 상기 포토다이오드 상의 절연막 상에 배치되고, 상기 포토다이오드와 상기 전원라인과 절연...

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Hauptverfasser: AE KYUNG SHIN, HUN JANG
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명의 일실시예에 따른 엑스레이 검출기는 기판과, 상기 기판 상에 화소 영역을 정의하기 위해 교차하는 게이트 라인과 리드아웃 라인과, 상기 게이트 라인과 교차하면서, 상기 리드아웃 라인과 평행하게 배치되는 전원라인과, 상기 화소 영역에 배치된 포토다이오드과, 상기 리드아웃 라인이 연결된 소스전극과, 상기 포토다이오드가 연결된 드레인 전극과, 상기 게이트 라인에 전기적으로 연결된 게이트 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 전원라인은 상기 포토다이오드 상의 절연막 상에 배치되고, 상기 포토다이오드와 상기 전원라인과 절연막을 관통하는 콘택홀을 통해 상기 전원라인에 연결되고, 상기 게이트 전극은 게이트 전극부들을 포함하고, 상기 소스 전극은 상기 게이트 전극부들 사이의 영역 상에 배치되고, 상기 드레인 전극은 상기 게이트 전극부들 상에 배치된 적어도 하나 이상의 드레인 전극부들을 포함하고, 상기 소스 전극은 상기 게이트 전극부들 중 제1 게이트 전극부 상에 적어도 일부가 오버랩되는 제1 측 영역과 상기 게이트 전극부들 중 제2 게이트 전극부 상에 적어도 일부가 오버랩되는 제2 측 영역을 포함하고, 상기 제1 측 영역과 상기 제1 게이트 전극부 사이에 제1 기생 캐패시턴스가 구성되고, 상기 제2 측 영역과 상기 제2 게이트 전극부 사이에 제2 기생 캐패시턴스가 구성되고, 상기 제1 기생 캐패시턴스와 상기 제2 기생 캐패시턴스는 병렬로 연결되고, 상기 전원라인은 전원라인의 제1 폭부와, 상기 전원라인의 제1 폭부에 비하여 폭이 넓은 전원라인의 제2 폭부 및 상기 전원라인의 제1 폭부와 상기 전원라인의 제2 폭부를 연결하는 전원라인의 연결부를 포함하고, 상기 전원라인은 상기 전원라인의 제1 폭부, 상기 전원라인의 연결부, 상기 상기 전원라인의 제2 폭부, 상기 전원라인의 연결부 및 상기 전원라인의 제1 폭부 순으로 연장되도록 형성되고, 상기 게이트라인은 게이트라인의 제1 폭부와, 상기 게이트라인의 제1 폭부에 비하여 폭이 넓은 게이트라인의 제2 폭부 및 상기 게이트라인의 제1 폭부와 상기 게이트라인의 제2 폭부를 연결하는 게이트라인의 연결부를 포함하고, 상기 전원라인의 제1 폭부는 상기 게이트 라인의 제1 폭부와 교차된다.