FILM FORMING METHOD FILM FORMING APPARATUS AND STORAGE MEDIUM

The present invention provides a technique capable of improving uniformity of a film thickness in a plane of a substrate, in forming a film by repeatedly passing through a region to which a raw material gas is supplied and a region to which a reaction gas is supplied by rotating the substrate. An adsorption region (R1) is formed by discharging raw material gas from multiple discharge ports (21), which are formed in an opposing portion (2) opposed to a rotary table (12) on which a substrate (W) is loaded. The purge gas is supplied along the periphery of the adsorption region (R1) while exhausting along the periphery of the adsorption region (R1) to separate the adsorption region (R1) from a reaction region. A cycle in which the substrate (W) passes in the order of the adsorption region (R1) and the reaction region is repeated several times. The patterns of combinations of the flow rates of the raw material gas discharged from the plurality of discharge ports (21) are different from each other between one cycle and another cycle. 본 발명은, 기판을 공전시킴으로써 원료 가스가 공급되는 영역과 반응 가스가 공급되는 영역을 반복해서 통과시켜 성막하는 데 있어서, 기판의 면내에서의 막 두께의 균일성을 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 기판(W)이 적재되는 회전 테이블(12)에 대향해서 설치되는 대향부(2)에 형성된 복수의 토출구(21)로부터 원료 가스를 토출하여, 흡착 영역(R1)을 형성한다. 흡착 영역(R1)의 주연을 따라 배기함과 함께 당해 흡착 영역(R1)의 주연을 따라 퍼지 가스를 공급하여, 흡착 영역(R1)과 반응 영역을 분리한다. 그리고, 흡착 영역(R1), 반응 영역의 순서로 기판(W)을 통과시키는 사이클을 반복해서 복수회 행하는 데 있어서, 하나의 사이클과 다른 사이클에서는, 복수의 토출구(21)로부터 각각 토출되는 원료 가스 유량의 조합의 패턴이 상이하도록 한다.