CVD 반응기의 배기 매니폴드

본 발명은 코팅 시스템, 특히 유동 채널을 갖는 배기 매니폴드(1)를 포함하는 CVD 또는 PVD 반응기로부터 프로세스 가스를 추출하기 위한 장치에 관한 것으로, 유동 채널은 흡인 개구부(2), 유동 방향(S)에 인접한 가스 추출 섹션(3) 및 유동 방향(S)에서 가스 추출 챔버(3)의 하류에 배치되고 흡인 라인(4, 4', 4")의 진공 펌프 포트(20, 20', 20") 내로 개방되는 가스 수집 섹션(5)을 포함하고, 긴 측면(long side) 방향(L)으로 연장하는 흡인 개구부(2)의 길이는 좁은 측면(narrow side) 방향(W)으로 연장하는 너비보다 실질적으로 더 크고, 가스 추출 챔버(3) 및 가스 수집 챔버(5)는 긴 측면 방향(L)으로 연장하는 긴 측벽들(long side walls)(6, 8)에 의해 그리고 좁은 측면 방향(W)으로 연장하는 좁은 측벽들(narrow side walls)(7)에 의해, 흡인 라인(4, 4', 4")에서 생성된 부압의 결과로서 유동 채널 내에 가스 유동이 형성되는 방식으로 경계가 정해진다. 2 개의 에지 존들(R) 사이에 위치된 중앙 존(Z)에서, 에지 존들(R)에서보다 가스 유동에 더 큰 유동 저항을 가하는 유동 방해 구조물들이 가스 추출 섹션(3)과 가스 수집 섹션(5) 사이의 적어도 하나의 중간 공간부(9)에 제공된다. Described herein is an exhaust manifold (1) comprising suction opening (2), a gas extraction chamber (3), an intermediate space (9), a gas collection chamber (5) and a suction line (4). A flow-impeding structure may be present within the intermediate space (9). The flow impeding structure may exert a flow resistance on the gas flow which is greater in a central zone (Z) than in edge zones (R) of the intermediate space (9), causing gas to flow into the suction opening (2) at a substantially uniform gas flow speed across the cross section of the suction opening (2).