기판으로부터 물질을 제거하기 위한 수용액 및 방법
본 개시내용은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 공정에 관한 것이다. 일부 사례에서, 그 물질은 반도체 웨이퍼 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 그 용액은 4급 수산화암모늄, 아민 및 임의로 부식 억제제 및/또는 당 알콜을 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 면은 기판으로부터 하나 이상의 물질을 제거하기 위해 용액과 접촉될 수 있다. The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. In some cases,...
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| creator | ACRA TRAVIS W POLLARD KIMBERLY DONA PETERS RICHIE DALTON |
| description | 본 개시내용은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 공정에 관한 것이다. 일부 사례에서, 그 물질은 반도체 웨이퍼 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 그 용액은 4급 수산화암모늄, 아민 및 임의로 부식 억제제 및/또는 당 알콜을 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 면은 기판으로부터 하나 이상의 물질을 제거하기 위해 용액과 접촉될 수 있다.
The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. In some cases, the substances can include photoresist on semiconductor wafers. The solution can include a quaternary ammonium hydroxide an amine, and optionally a corrosion inhibitor and/or a sugar alcohol. One or more sides of the substrate can be contacted with the solution to remove one or more substances from the substrate. |
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The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. In some cases, the substances can include photoresist on semiconductor wafers. The solution can include a quaternary ammonium hydroxide an amine, and optionally a corrosion inhibitor and/or a sugar alcohol. One or more sides of the substrate can be contacted with the solution to remove one or more substances from the substrate.</description><language>kor</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MATERIALS THEREFOR ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS</subject><creationdate>2018</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20181207&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20180130570A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20181207&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20180130570A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ACRA TRAVIS W</creatorcontrib><creatorcontrib>POLLARD KIMBERLY DONA</creatorcontrib><creatorcontrib>PETERS RICHIE DALTON</creatorcontrib><title>기판으로부터 물질을 제거하기 위한 수용액 및 방법</title><description>본 개시내용은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 공정에 관한 것이다. 일부 사례에서, 그 물질은 반도체 웨이퍼 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 그 용액은 4급 수산화암모늄, 아민 및 임의로 부식 억제제 및/또는 당 알콜을 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 면은 기판으로부터 하나 이상의 물질을 제거하기 위해 용액과 접촉될 수 있다.
The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. In some cases, the substances can include photoresist on semiconductor wafers. The solution can include a quaternary ammonium hydroxide an amine, and optionally a corrosion inhibitor and/or a sugar alcohol. One or more sides of the substrate can be contacted with the solution to remove one or more substances from the substrate.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2018</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHB9tWPD254Jb-bseb1wzuttDW9bNii8XrPnzfKON3NbFN4smPNq44a3U2cAVSm8mdPyduochTcdM97MWvlm6kKF1xv6gXjl601TeRhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvHeQkYGhhYGhsYGpuYGjMXGqAPToSEg</recordid><startdate>20181207</startdate><enddate>20181207</enddate><creator>ACRA TRAVIS W</creator><creator>POLLARD KIMBERLY DONA</creator><creator>PETERS RICHIE DALTON</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20181207</creationdate><title>기판으로부터 물질을 제거하기 위한 수용액 및 방법</title><author>ACRA TRAVIS W ; POLLARD KIMBERLY DONA ; PETERS RICHIE DALTON</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20180130570A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2018</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ACRA TRAVIS W</creatorcontrib><creatorcontrib>POLLARD KIMBERLY DONA</creatorcontrib><creatorcontrib>PETERS RICHIE DALTON</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ACRA TRAVIS W</au><au>POLLARD KIMBERLY DONA</au><au>PETERS RICHIE DALTON</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>기판으로부터 물질을 제거하기 위한 수용액 및 방법</title><date>2018-12-07</date><risdate>2018</risdate><abstract>본 개시내용은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 공정에 관한 것이다. 일부 사례에서, 그 물질은 반도체 웨이퍼 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 그 용액은 4급 수산화암모늄, 아민 및 임의로 부식 억제제 및/또는 당 알콜을 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 면은 기판으로부터 하나 이상의 물질을 제거하기 위해 용액과 접촉될 수 있다.
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