기판으로부터 물질을 제거하기 위한 수용액 및 방법

본 개시내용은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 공정에 관한 것이다. 일부 사례에서, 그 물질은 반도체 웨이퍼 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 그 용액은 4급 수산화암모늄, 아민 및 임의로 부식 억제제 및/또는 당 알콜을 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 면은 기판으로부터 하나 이상의 물질을 제거하기 위해 용액과 접촉될 수 있다. The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. In some cases,...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ACRA TRAVIS W, POLLARD KIMBERLY DONA, PETERS RICHIE DALTON
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 개시내용은 기판으로부터 물질을 제거하기 위한 용액 및 공정에 관한 것이다. 일부 사례에서, 그 물질은 반도체 웨이퍼 상의 포토레지스트를 포함할 수 있다. 그 용액은 4급 수산화암모늄, 아민 및 임의로 부식 억제제 및/또는 당 알콜을 포함할 수 있다. 기판의 하나 이상의 면은 기판으로부터 하나 이상의 물질을 제거하기 위해 용액과 접촉될 수 있다. The disclosure is directed solutions and processes to remove substances from substrates. In some cases, the substances can include photoresist on semiconductor wafers. The solution can include a quaternary ammonium hydroxide an amine, and optionally a corrosion inhibitor and/or a sugar alcohol. One or more sides of the substrate can be contacted with the solution to remove one or more substances from the substrate.