Semiconductor device

The present invention relates to a semiconductor element. The semiconductor element comprises: a semiconductor structure including a first conductivity type semiconductor layer, a second conductivity type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer; and a reflection layer disposed around the semiconductor structure. The semiconductor structure includes a first region that is an area where light is emitted to the outside of the semiconductor element and a second region that is an area that is emitted from the semiconductor structure, wherein the first region and the second region may have different areas, thereby having high luminance through a lower driving current through the semiconductor element. 본 발명에 따른 반도체소자는 제1도전형반도체층, 제2도전형반도체층 및 상기 제1도전형반도체층과 상기 제2도전형반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체구조물; 및 상기 반도체구조물의 둘레에 배치되는 반사층; 을 포함하고, 상기 반도체구조물은 반도체소자의 외부로 광이 방출되는 영역인 제1영역 및 반도체구조물에서 발광되는 영역인 제2영역을 포함하고, 상기 제1영역과 제2영역은 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 본 발명에 따른 반도체소자를 통해 보다 낮은 구동 전류를 통해 고휘도를 구현할 수 있다.