BACK CONTACT SILICON SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Provided is a silicon solar cell comprising: a p-type conductive type silicon substrate; a front electric field region; a rear electric field region; and a tunnel junction region, wherein the front electric field region is formed on a front surface of the silicon substrate having a texturing structure and includes a conductive semiconductor layer formed in conformity with the texturing structure and an antireflection layer formed in conformity with the texturing structure, sequentially, wherein the rear electric field region and the tunnel junction region are alternately arranged on the rear surface of the silicon substrate, wherein the rear electric field region is formed to include an aluminum rear electric field portion and the aluminum rear electric field portion includes an aluminum a part of which is buried in the rear surface of the silicon substrate and the remaining part of which protrudes from the rear surface of the silicon substrate, wherein the tunnel junction region includes a tunneling layer, an emitter layer and an electrode connected to the emitter layer sequentially from the rear surface of the silicon substrate, and wherein the rear electric field region and the tunnel junction region further include a passivation layer covering the rear surface of the silicon substrate and the remaining rear surface of the silicon substrate other than the aluminum rear surface electric field portion. p형 도전성 타입의 실리콘 기판; 전면전계 영역; 후면전계 영역; 및 터널접합 영역;를 포함하고, 상기 전면전계 영역은 텍스쳐링 구조를 갖는 상기 실리콘 기판의 전면에 형성되고, 순차적으로, 상기 텍스쳐링 구조에 순응하여 형성된 도전성 반도체층 및 상기 텍스쳐링 구조에 순응하여 형성된 반사방지층을 포함하고, 상기 후면전계 영역과 상기 터널접합 영역은 상기 실리콘 기판의 후면에 교대로 배치되고, 상기 후면전계 영역은 알루미늄 후면전계부를 포함하여 형성되고, 상기 알루미늄 후면전계부는 상기 실리콘 기판의 후면으로 일부가 매몰되고 나머지 일부가 상기 실리콘 기판의 후면으로부터 돌출되어 형성된 알루미늄을 포함하고, 상기 터널접합 영역은 상기 실리콘 기판의 후면으로부터 순차적으로 터널링층, 에미터층 및 상기 에미터층에 연결된 전극을 포함하고, 상기 후면전계 영역 및 상기 터널접합 영역은: 상기 전극과 상기 알루미늄 후면전계부 이외의 나머지의 상기 실리콘 기판의 후면을 커버하는 패시베이션층을 더 포함하는 후면접합 실리콘 태양전지를 제공한다.