실리콘 단결정 제조 방법

CZ법에 의해 인상할 때의 단결정(C)의 직경(D)과, 융액(M)에 인가할 수평 자기장 강도(G)와, 인상할 때의 단결정(C)의 결정 회전 속도(V)와, 웨이퍼 외주부에 있어서의 산소 농도의 분포 특성(δ)과의 상관 관계를 소정의 제조 조건에 대하여 미리 구하고, 상기 웨이퍼 외주부에 있어서의 산소 농도의 분포 특성의 한계값과, 상기 수평 자기장 강도의 한계값과, 상기 인상할 때의 단결정의 결정 회전 속도의 한계값과, 상기 상관 관계로부터 인상할 때의 단결정의 최소의 직경을 구하고, 해당 구해진 최소의 직경을 목표 직경으로 하여 실리콘 단결정을 상기 소정의 제조 조건 하에서 제조한다. According to the present invention, correlations between a diameter (D) of a monocrystal (C) when being pulled up by a CZ process, a horizontal magnetic field strength (G) to be applied to a melt (M), a crystal rotation speed (V) of the monocrystal (C) being pulled up, and an oxygen concentration distribution characteristic (δ) at an outer periphery of a wafer are determined in advance for a prescribed production condition. Then, a minimum diameter of the monocrystal to be pulled up is determined on the basis of a limit value of the oxygen concentration distribution characteristic at the outer periphery of the wafer, a limit value of the horizontal magnetic field strength, a limit value of the crystal rotation speed of the monocrystal being pulled up, and the determined correlations. A silicon monocrystal is produced under the prescribed production condition using the determined minimum diameter as a target diameter.