웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버

본원에서 설명되는 구현들은, 인-시튜 세정 능력을 갖는 열 기판 처리 장치를 제공한다. 본원에서 설명되는 장치는, 프로세스 체적을 한정하는 열 프로세스 챔버를 포함할 수 있고, 기판 지지부는 프로세스 체적 내에 배치될 수 있다. 하나 이상의 원격 플라즈마 공급원은 프로세스 체적과 유체 연통할 수 있고, 원격 플라즈마 공급원들은 세정 플라즈마를 프로세스 체적에 전달하도록 구성될 수 있다. Implementations described herein provide for thermal substrate processing apparatus including two thermal process chambers, each defining a process volume, and a substrate support disposed within each process volume. One or more remote plasma sources may be in fluid communication with the process volumes and the remote plasma sources may be configured to deliver a plasma to the process volumes. Various arrangements of remote plasma sources and chambers are described.