Method for fabricating Semiconductor device

Provided is a method for manufacturing a semiconductor device with improved operational performance. The method comprises the steps of: forming a mold structure in which interlayer insulating films and sacrificial films are alternately and repeatedly laminated on a substrate; forming a channel hole through the mold structure; forming a vertical channel structure in the channel hole; exposing surfaces of the interlayer insulating films by removing the sacrificial films; forming an aluminum oxide film along the surfaces of the interlayer insulating films; forming a TiON continuous film on the aluminum oxide film; and nitriding the TiON continuous film to form a TiN film. 반도체 장치 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치 제조 방법은 기판 상에 층간 절연막 및 희생막들이 교대로 반복 적층된 몰드 구조체를 형성하고, 상기 몰드 구조체를 관통하는 채널 홀을 형성하고, 상기 채널 홀 내에 수직 채널 구조체를 형성하고, 상기 희생막들을 제거하여 상기 층간 절연막의 표면을 노출시키고, 상기 층간 절연막의 표면을 따라서 알루미늄 산화막을 형성하고, 상기 알루미늄 산화막 상에 TiON 연속막을 형성하고, 상기 TiON 연속막을 질화시켜 TiN막을 형성하는 것을 포함한다.