FORMING TRANSISTOR BY SELECTIVELY GROWING GATE SPACER

A method includes: a step of forming a gate dielectric layer on a semiconductor fin; and a step of forming a gate electrode over the gate dielectric layer. The gate electrode extends on sidewalls and a top surface of the semiconductor fin. A gate spacer is selectively deposited on a sidewall of the gate electrode. An exposed portion of the gate dielectric layer is free from a same material for forming the gate spacer deposited thereon. The method further includes: a step of etching the gate dielectric layer using the gate spacer as an etching mask to expose a portion of the semiconductor fin; and a step of forming an epitaxy semiconductor region based on the semiconductor fin. 방법은 반도체 핀 상에 게이트 유전체층을 형성하는 단계와, 게이트 유전체층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 게이트 전극은 반도체 핀의 측벽 및 상면 상에서 연장된다. 게이트 스페이서가 게이트 전극의 측벽 상에 선택적으로 퇴적된다. 게이트 유전체층의 노출된 부분에는 게이트 스페이서를 형성하기 위한 동일한 재료가 퇴적되지 않는다. 상기 방법은 게이트 스페이서를 에칭 마스크로서 이용해 게이트 유전체층을 에칭하여 반도체 핀의 일부를 노출시키는 단계와, 반도체 핀에 기초하여 에피택시 반도체 영역을 형성하는 단계를 더 포함한다.