기판 상에 CdTe 층을 증착하기 위한 방법
본 발명은 물리적 기상 증착(physical gas phase deposition)에 의해 진공 챔버(1) 내의 기판(2) 상에 CdTe 층을 증착하기 위한 방법에 관한 것으로, 기판(2)은, 증착 공정 이전에 코팅 온도로 가열되고 그 다음에, CdTe(4)가 증기 상태로 전환되는 용기(3)를 지나서 안내되고, (진공 챔버 내의 진공에 비해서) 증가된 압력을 갖는 가스 성분이 코팅될 기판(2)의 표면에 대해 적어도 하나의 입구(5)를 통해 유동하여, 기판(2)이 적어도 하나의 용기(3)를 지나서 안내되기 이전에, 코팅될 기판(2)의...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 본 발명은 물리적 기상 증착(physical gas phase deposition)에 의해 진공 챔버(1) 내의 기판(2) 상에 CdTe 층을 증착하기 위한 방법에 관한 것으로, 기판(2)은, 증착 공정 이전에 코팅 온도로 가열되고 그 다음에, CdTe(4)가 증기 상태로 전환되는 용기(3)를 지나서 안내되고, (진공 챔버 내의 진공에 비해서) 증가된 압력을 갖는 가스 성분이 코팅될 기판(2)의 표면에 대해 적어도 하나의 입구(5)를 통해 유동하여, 기판(2)이 적어도 하나의 용기(3)를 지나서 안내되기 이전에, 코팅될 기판(2)의 표면에 가스 성분이 흡착되게 된다.
A method for depositing a CdTe layer on a substrate in a vacuum chamber by means of physical gas phase deposition is provided. The substrate is heated to a coating temperature before the deposition process and then guided past a vessel in which CdTe is converted into a vapour state, a gaseous component with an increased pressure (compared to the vacuum in the vacuum chamber) flowing through at least one inlet, against the substrate surface to be coated, such that the gaseous component is adsorbed on the substrate surface to be coated before the substrate is guided past the at least one vessel. |
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