투영 노광 장치 및 투영 렌즈 측정 방법
대물 평면(155)을 이미지 평면(156) 상에 결상하기 위한 투영 렌즈(150)를 갖고, 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈(150)와 이미지 평면(156) 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체(121)는 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체(121)는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치(130, 160)를 갖고, 측정 구조체(121)는 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함하는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 대물 평면(155)을 이미지 평면(156) 상에 결상하기 위한 투영 렌즈(150)를 갖고, 투영 노광 장치(100)가 작동하는 동안 적어도 일시적으로 투영 렌즈(150)와 이미지 평면(156) 사이에 침지 액체가 제공되며, 측정 구조체(121)는 침지 액체 내에 배열되고, 측정 구조체(121)는 측정 패턴을 생성하도록 구성되며, 측정 패턴을 측정하기 위한 측정 장치(130, 160)를 갖고, 측정 구조체(121)는 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 산화질화물 및/또는 질화물을 포함하는 흡수층(125)을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(100).
Microlithographic projection exposure apparatus (100) has a projection lens (150) configured to image an object plane (155) onto an image plane (156), wherein an immersion liquid is at least temporarily provided during operation of the projection exposure apparatus between the projection lens and the image plane, wherein a measurement structure (121) is arranged in the immersion liquid, and wherein the measurement structure is configured to generate a measurement pattern. The projection exposure apparatus also has a measurement device (130, 160) configured to measure the measurement pattern. The measurement structure has an absorption layer (125) including silicon oxide and/or silicon oxynitride and/or nitride. |
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