주파수 선택성 리미터

본 발명은 자성 재료 위에 배치되는 스트립 도체 및 제1 유전체 재료 위에 배치되는 제1 자성 재료를 가지는 주파수 선택성 리미터에 관한 것이다. 일 실시 예에서, 주파수 선택성 리미터는 스트립 도체 위에 배치되는 제2 자성 재료 및 제2 자성 재료 위에 배치되는 제2 유전체 재료를 포함한다. 제1 및 제2 유전체 재료는 제1 및 제2 자성 재료보다 낮은 유전 상수를 가질 수 있다. 일 실시 예에서, 주파수 선택성 리미터는 자성 재료 내로, 슬로우 웨이브 구조체를 통해 전파하는 전자기 에너지에 의해 생성되는, 자기장을 자기적으로 결합하도록 배치되는 슬로우 웨이브 구조체를 포함한다. The present disclosure is directed towards a frequency selective limiter having a first magnetic material (42) disposed over a first dielectric material (44) and a strip conductor (46,66) disposed over the magnetic material. In some embodiments, the frequency selective limiter includes a second magnetic material disposed over the strip conductor and a second dielectric material disposed over the second magnetic material. The first and second dielectric material may have a lower relative permittivity than the first and second magnetic material. In an embodiment, the frequency selective limiter includes a slow wave structure disposed to magnetically couple a magnetic field, produced by electromagnetic energy propagating through the slow wave structure, into the magnetic material.