SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

A substrate processing method comprises a substrate maintaining step of horizontally maintaining a substrate; a processing solution supplying step of supplying a processing solution containing water to the upper surface of the substrate; a substitution step of replacing the processing solution with a low surface tension liquid by supplying the low surface tension liquid having a surface tension lower than that of water to the upper surface of the substrate; a liquid film forming step of forming a liquid film of the low surface tension liquid on the upper surface of the substrate by continuing the supply of the low surface tension liquid with respect to the upper surface of the substrate after the substitution step; an opening forming step of forming an opening in the central region of the liquid film; an expansion exclusion step of excluding the liquid film from the upper surface of the substrate by widening the opening toward the circumference of the substrate; and a liquid film contact step of bringing a proximity member into contact with the liquid film by making the proximity member approach the circumference of the substrate after the initiation of the opening forming step. 기판 처리 방법은, 기판을 수평하게 유지하는 기판 유지 공정과, 상기 기판의 상면에 물을 함유하는 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 물보다 낮은 표면장력을 갖는 저표면장력 액체를 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 저표면장력 액체로 상기 처리액을 치환하는 치환 공정과, 상기 치환 공정 후에, 상기 기판의 상면에 대한 상기 저표면장력 액체의 공급을 계속함으로써, 상기 기판의 상면에 상기 저표면장력 액체의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 액막의 중앙 영역에 개구를 형성하는 개구 형성 공정과, 상기 개구를 상기 기판의 주연을 향해 넓힘으로써 상기 액막을 상기 기판의 상면으로부터 배제하는 확대 배제 공정과, 상기 개구 형성 공정의 개시 후에, 근접 부재를 상기 기판의 주연에 근접시킴으로써, 상기 근접 부재를 상기 액막에 접촉시키는 액막 접촉 공정을 포함한다.