Method for fabricating a semiconductor device

A semiconductor device manufacturing method is provided. The semiconductor device manufacturing method includes a first step of loading a substrate on which a dielectric film is formed onto a stage arranged in a chamber, a second step of providing an etching gas inside the chamber, a third step of generating a reaction product by means of an etching gas-based reaction of the dielectric film at a first temperature, a fourth step of sublimating the reaction product by heating the dielectric film to a second temperature higher than the first temperature by using light provided from a light source, a fifth step of cooling the dielectric film to the first temperature by providing a cooling gas inside the chamber, and a sixth step of removing the etching gas and the sublimated reaction product by providing a purge gas inside the chamber. In the single chamber, the second to sixth steps are repeated until the dielectric film is etched in-situ to a predetermined depth. 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치의 제조 방법은, 유전막이 형성된 기판을 챔버 내부에 배치된 스테이지 상에 로딩하는 제1 단계, 챔버 내부에 식각 가스를 제공하는 제2 단계, 식각 가스를 이용하여 유전막을 제1 온도에서 반응시켜 반응 생성물을 생성하는 제3 단계, 광원으로부터 제공된 광을 이용하여 유전막의 온도를 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열시켜 반응 생성물을 승화시키는 제4 단계, 챔버 내부에 냉각 가스를 제공하여 유전막의 온도를 제1 온도로 냉각시키는 제5 단계, 챔버 내부에 퍼지 가스를 제공하여 식각 가스 및 승화된 반응 생성물을 제거하는 제6 단계를 포함하되, 하나의 챔버 내에서, 인시츄(in-situ)로 유전막이 미리 정해진 깊이로 식각될 때까지 제2 단계 내지 제6 단계를 반복적으로 수행한다.