POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

The present invention relates to a power semiconductor device and a manufacturing method thereof, more specifically, comprising the steps of: forming a first conductive drift region on a substrate; forming a plurality of trenches on the drift region; forming gate insulation membrane within the plurality of trenches; depositing and etching back a conductive material on the gate insulation membrane to form a gate electrode within the trench; forming a second conductive low concentration body region on the substrate and selectively forming a first conductive high concentration source region on the low concentration body region; forming an interlayer insulation membrane to cover the gate electrode; etching the interlayer insulation membrane to open the body region; ion-injecting a second conductive dopant on a portion of the body region to form a second conductive high concentration body contact region, and forming the high concentration source region and the high concentration body contact region alternately on the body region; and forming a source electrode on the second conductive body contact region and the high concentration source region, wherein, in the step of forming the high concentration source region, the high concentration source region starts from an upper surface of the substrate, is extended long along a side wall of the trench, and is overlapped with the gate electrode. The present invention does not need a contact recess etching process to simplify processes. 본 발명은 전력 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전력 반도체 소자의 제조 방법은, 기판에 제1 도전형의 드리프트 영역을 형성하는 단계; 상기 드리프트 영역에 복수의 트렌치를 형성하는 단계; 상기 복수의 트렌치 안에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에 도전성 물질을 증착하고 에치백하여, 상기 트렌치 내부에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 기판에 제2 도전형의 저농도 바디 영역을 형성하고, 상기 저농도 바디 영역에 선택적으로 제1 도전형의 고농도 소스 영역을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮도록 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막을 식각하여 상기 바디 영역을 개방하는 단계; 상기 바디 영역의 일부에 제2 도전형의 도펀트를 이온 주입하여 제2 도전형의 고농도 바디 컨택 영역을 형성하여, 상기 바디 영역 상에 상기 고농도 소스 영역과 상기 고농도 바디 컨택 영역을 교번해서 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전형의 바디 컨택 영역 및 상기 고농도 소스 영역 상에 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 고농도 소스 영역을 형성하는 단계는 상기 기판 상면에서 출발하여, 상기 트렌치 측벽을 따라 길게 연장되어 상기 게이트 전극과 중첩되도록 한다.