RF EMBEDDED HARMONIC TERMINATION ON HIGH POWER RF TRANSISTOR

The present invention relates to an embedded harmonic termination on a high power RF transistor. A semiconductor element includes a semiconductor substrate having a first surface and a second surface facing each other. An amplifier element is formed in the semiconductor substrate, and the amplifier element is configured to amplify an RF signal in a fundamental frequency. A first dielectric layer is formed on the first surface of the substrate. A first metal wiring layer is formed on the first dielectric layer. The first metal wiring layer is spaced apart from the substrate by the first dielectric layer. The first metal wiring layer includes an elongated first finger interdigitated with a first reference potential pad. The elongated first finger is physically separated from the first reference potential pad. The first reference potential pad includes a first pattern shape without metal wiring. The first pattern shape has a geometric structure filtering the harmonic components of the fundamental frequency. 반도체 소자는 대향하는 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 증폭기 소자가 반도체 기판 내에 형성되고, 증폭기 소자는 기본 주파수에서 RF 신호를 증폭하도록 구성된다. 제1 유전체 층이 기판의 제1 표면 상에 형성된다. 제1 금속 배선 층이 제1 유전체 층 상에 형성된다. 제1 금속 배선 층은 제1 유전체 층에 의해 기판으로부터 이격된다. 제1 금속 배선 층은 제1 기준 전위 패드와 깍지끼워진 제1 연장된 핑거를 포함한다. 제1 연장된 핑거는 제1 기준 전위 패드로부터 물리적으로 분리된다. 제1 기준 전위 패드는 금속 배선이 없는 제1 패턴 형상을 포함한다. 제1 패턴 형상은 기본 주파수의 고조파 성분을 필터링하는 기하학적 구조를 가지고 있다.