화학증착 방법 및 장치

브릿지에 의해 연결되는 하나 이상의 필라멘트 구조를 포함하는 화학증착(CVD) 반응기의 필라멘트 조립체를 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 필라멘트 구조는 실리콘 시드와 일체인 중공 실리콘 필라멘트를 포함한다. 본 발명의 다양한 실시형태, 이 필라멘트 조립체를 포함하는 CVD 시스템 및 이 필라멘트 조립체 상에 실리콘을 증착시키는 방법이 기술되어 있다. A method of forming a filament assembly of a chemical vapor deposition (CVD) reactor, comprising at...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	DESROSIER DANIEL J, FERO CHAD R
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL COMPOUNDS THEREOF DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL INORGANIC CHEMISTRY METALLURGY NON-METALLIC ELEMENTS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	브릿지에 의해 연결되는 하나 이상의 필라멘트 구조를 포함하는 화학증착(CVD) 반응기의 필라멘트 조립체를 형성하는 방법이 개시되어 있다. 이 필라멘트 구조는 실리콘 시드와 일체인 중공 실리콘 필라멘트를 포함한다. 본 발명의 다양한 실시형태, 이 필라멘트 조립체를 포함하는 CVD 시스템 및 이 필라멘트 조립체 상에 실리콘을 증착시키는 방법이 기술되어 있다. A method of forming a filament assembly of a chemical vapor deposition (CVD) reactor, comprising at least one filament structure connected by a bridge, is disclosed. The filament structure comprises a hollow silicon filament integral with a silicon seed. Various embodiments of this invention are described, along with a CVD system comprising this filament assembly as well as a method of depositing silicon onto this filament assembly.