질화물 반도체 발광소자

n측층과, p측층과, 상기 n측층과 상기 p측층의 사이에 설치되고, Al과 Ga과 N을 포함하는 우물층과, Al과 Ga과 N을 포함하고, Al의 함유량이 상기 우물층보다 큰 장벽층을 갖는 활성층을 구비한 질화물 반도체 발광소자로서, 활성층과 p측층의 사이에 전자 블록 구조층을 갖고, 전자 블록 구조층은, 밴드 갭이 장벽층보다 큰 제1 전자 블록층과, p측층과 제1 전자 블록층의 사이에 설치되고, 장벽층보다 크고 제1 전자 블록층보다 작은 밴드 갭을 갖는 제2 전자 블록층과, 제1 전자 블록층과 제2 전자 블록층의 사이에 설치되고, 밴드 갭이 제2 전자 블록층보다 작은 중간층을 갖는다. A nitride semiconductor light emitting element includes: an n-side layer; a p-side layer; an active layer disposed between the n-side layer and the p-side layer, the active layer comprising: a well layer containing Al, Ga, and N, and a barrier layer containing Al, Ga, and N, wherein an Al content of the barrier layer is higher than an Al content of the well layer; and an electron blocking structure layer between the active layer and the p-side layer, the electron blocking structure comprising: a first electron blocking layer disposed between the p-side layer and the active layer, a second electron blocking layer disposed between the p-side layer and the first electron blocking layer, and an intermediate layer disposed between the first electron blocking layer and the second electron blocking layer.