METHOD OF FORMING PATTERNS AND SEMICONDUCTOR

The present invention relates to a pattern forming method which comprises the following steps: providing a material layer on a substrate; forming an organic planarization layer on the material layer; forming a silicon-containing thin film layer on the organic planarization layer; forming an inductive self-assembly thin film layer by a directed self-assembly (DSA) process on the silicon-containing thin film layer; removing a portion of the inductive self-assembly thin film layer to form a pattern layer including a plurality of first patterns; selectively removing the organic planarization layer and the silicon-containing thin film layer using the pattern layer as a mask to form a trench; filling the trench with a filler including a silicon-containing polymer and a solvent, and curing the same; removing the organic planarization layer and the silicon-containing thin film layer while remaining a region filled with the filler; and selectively removing the material layer using the region filled with the filler as the mask. The content of the silicon-containing polymer is 1 to 10 wt% with respect to the filler. According to the present invention, a resolution and critical dimension of a pattern can be improved. 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 기판 위에 재료 층을 제공하는 단계, 상기 재료 층 위에 유기 평탄화 층을 형성하는 단계, 상기 유기 평탄화 층 위에 규소 함유 박막 층을 형성하는 단계, 상기 규소 함유 박막층 위에 유도 자기 조립(DSA, directed self-assembly) 공정에 의해 유도자기조립 박막 층을 형성하는 단계, 상기 유도자기조립 박막 층의 일부를 제거하여 복수의 제1 패턴을 포함하는 패턴 층을 형성하는 단계, 상기 패턴 층을 마스크로 하여 상기 유기 평탄화 층 및 상기 규소 함유 박막 층을 선택적으로 제거하여 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치를 규소 함유 중합체 및 용매를 포함하는 충전재로 매립한 후 경화하는 단계, 상기 충전재가 매립된 영역을 남기고 상기 유기 평탄화 층 및 상기 규소 함유 박막 층을 제거하는 단계, 그리고 상기 충전재가 매립된 영역을 마스크로 하여 상기 재료 층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하고 상기 규소 함유 중합체의 함량은 상기 충전재에 대하여 1 중량% 내지 10 중량%인 패턴 형성 방법을 제공한다.