발광 구조를 형성하는 방법 및 이를 위한 장치

기판(501) 상에 발광 구조(500)를 형성하기 위한 방법이 설명된다. 이 방법은, 제1 반사 전극 부분(400)을 형성하고, 제1 반사 전극 부분 위에 이미터 층(502)을 형성하고, 그리고 상기 이미터 층 위에 제2 전극 부분(504)을 형성하는 단계를 포함한다. 제1 반사 전극 부분(400)을 형성하는 것은, 프로세스 가스들을 포함하는 프로세스 분위기에서 제1 투명 전도성 금속 산화물 층(401), 반사성 금속 층(402) 및 제2 투명 전도성 금속 산화물 층(403)을 증착하는 것을 포함한다. 이 방법은, 프로세스 가스의 O함량과 H함량의 비를 제어함으로써 입사광의 6% 미만의 광 흡수로 제1 반사 전극 부분(400)의 광 흡수 특성들을 설정하는 단계를 더 포함한다. A method for forming a light emitting structure (500) on a substrate (501) is described. The method includes forming a first reflective electrode portion (400), forming an emitter layer (502) over the first reflective electrode portion and forming a second electrode portion (504) over the emitter layer. Forming the first reflective electrode portion (400) includes depositing a first transparent conductive metal oxide layer (401), a reflective metal layer (402) and a second transparent conductive metal oxide layer (403) in a process atmosphere including process gases. The method further includes setting the light absorption properties of the first reflective electrode portion (400) to a light absorption of less than 6% of the incident light by controlling the ratio of O2 content and H2 content of the process gas.