CONTINUOUS TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF SUBSTRATE

The purpose of the present invention is to provide an apparatus and a method for continuously processing a substrate, which do not need to use formic acid by removing an oxide film existing on a substrate by using plasma. To this end, the apparatus for continuously processing a substrate comprises: a plasma chamber (200) for removing an oxide film existing on a substrate by using plasma; heating chambers (400, 500) for heating the substrate that has been processed with plasma in the plasma chamber (200) to a set temperature; a cooling chamber (600) for cooling the substrate transferred from the heating chambers (400, 500) and transferring the cooled substrate to a loading/unloading chamber (100); and a transfer unit (800) for transferring the substrate between the chambers. 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판에 존재하는 산화막을 제거함으로써 포름산을 사용할 필요가 없는 기판의 연속 처리 장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다. 이를 구현하기 위한 본 발명의 기판의 연속 처리 장치는, 기판에 존재하는 산화막을 플라즈마를 이용하여 제거하기 위한 플라즈마 챔버(200); 상기 플라즈마 챔버(200)에서 플라즈마 처리가 이루어진 기판을 설정된 온도로 가열하는 히팅 챔버(400,500); 상기 히팅 챔버(400,500)로부터 이송된 기판을 냉각하고, 상기 냉각된 기판을 상기 로딩 및 언로딩 챔버(100)로 이송되도록 하는 냉각 챔버(600); 상기 기판을 상기 챔버들 사이에서 이송되도록 하기 위한 이송부(800)를 포함한다.