Wafer Processing Apparatus and Method for Cleaning Using the Same

The present technology relates to a substrate processing apparatus for improving power efficiency and a thin film etching method using the same. The substrate processing apparatus of the present embodiment comprises a substrate processing chamber; a remote plasma generator generating and providing a cleaning gas, which is formed into radicals by plasma, in the substrate processing chamber; an RF power supplier providing power to the remote plasma generator; and an impedance matching block located between the remote plasma generator and the RF power supplier and adjusting power inputted from the RF power supplier to provide the power to the remote plasma generator. 기판 처리 장치 및 이를 이용한 박막 식각 방법에 관한 기술이다. 본 실시예의 기판 처리 장치는 기판 처리 챔버; 상기 기판 처리 챔버 내부에 플라즈마에 의해 라디칼화된 클리닝 가스를 생성 및 제공하는 리모트 플라즈마 발생부; 상기 리모트 플라즈마 발생부에 파워를 제공하는 RF 파워 제공부; 및 상기 리모트 플라즈마 발생부 및 상기 RF 파워 제공부 사이에 위치되어 상기 RF 파워 제공부로부터 입력되는 파워를 조절하여 상기 리모트 플라즈마 발생부로 제공하는 임피던스 매칭 블록을 포함한다.