SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD MANUFACTURING THE SAME

A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes an n- type layer located on a first side of an n+ type silicon carbide substrate, a trench located in the n- type layer, a first gate electrode and a second gate electrode located in the trench and separated from each other, a source electrode insulated from the first gate electrode and the second gate electrode, a drain electrode located on a second side of the n+ type silicon carbide substrate, a first channel located to be adjacent to the lateral side of the trench, and a second channel located under the lower side of the trench. The first channel is separated from the second channel. Accordingly, the present invention can improve the current density of the semiconductor device. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 n+ 형 탄화 규소 기판의 제1면에 위치하는 n- 형층, 상기 n- 형층에 위치하는 트렌치, 상기 트렌치 내에 위치하며, 서로 이격되는 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극, 상기 제1 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극과 절연되는 소스 전극, 상기 n+ 형 탄화 규소 기판의 제2면에 위치하는 드레인 전극, 상기 트렌치의 측면에 인접하게 위치하는 제1 채널, 그리고 상기 트렌치의 하부면 아래에 위치하는 제2 채널을 포함하고, 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널은 서로 이격된다.