SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

The present invention provides a semiconductor memory device having improved reliability. The semiconductor memory device according to the present invention comprises: a substrate including a cell array region and a contact region; and a laminate structure alternatively located on the substrate, and including a plurality of insulating films and a plurality of gate electrodes having a stepped structure in the contact region. The plurality of gate electrodes include a plurality of pad parts exposed in the stepped structure. At least one among the plurality of pad parts includes: a base pad; and a protrusion pad in contact with one surface of the base pad. The protrusion pad is located inside two edges perpendicular to an extending direction of the gate electrode on one surface of the base pad. 본 기재에 따른 반도체 메모리 장치는 셀 어레이 영역 및 컨택 영역을 포함하는 기판, 및 상기 기판 위에 교번하여 위치하며 상기 컨택 영역에서 계단형 구조를 가지는 복수의 절연막 및 복수의 게이트 전극을 포함하는 적층 구조체를 포함하고, 상기 복수의 게이트 전극은 상기 계단형 구조에서 노출된 복수의 패드부를 포함하고, 상기 복수의 패드부 중 적어도 하나는, 베이스 패드, 및 상기 베이스 패드의 일면과 접하는 돌출 패드를 포함하며, 상기 돌출 패드는 상기 베이스 패드의 상기 일면에서 상기 게이트 전극의 연장 방향과 직교하는 두 모서리보다 내측에 위치한다.