INSPECTION METHOD LITHOGRAPHIC APPARATUS MASK AND SUBSTRATE

리소그래피 공정과 관련한 초점 정보를 얻는 방법 및 장치가 개시된다. 본 방법은, 타겟을 조명하는 단계, 및 타겟에 의해 산란된 방사선을 검출하여, 그 타겟에 대해, 타겟의 전체적인 비대칭을 나타내는 비대칭 측정값을 얻는 단계를 포함하고, 타겟은 서로 번갈아 있는 제 1 구조체와 제 2 구조체를 포함하며, 제 2 구조체의 형태는 초점 의존적이고, 제 1 구조체의 형태는 제 2 구조체의 초점 의존성과 동일한 초점 의존성을 갖지 않으며, 비대칭 측정값은 타겟을 형성하는 빔의 초점을 나타낸다. 이러한 타겟을 형성하기 위한 관련된 마스크 및 이러한 타겟을 갖는 기판이 또한 개시된다. A method and apparatus for obtaining focus information relating to a lithographic process. The method includes illuminating a target, the target having alternating first and second structures, wherein the form of the second structures is focus dependent, while the form of the first structures does not have the same focus dependence as that of the second structures, and detecting radiation redirected by the target to obtain for that target an asymmetry measurement representing an overall asymmetry of the target, wherein the asymmetry measurement is indicative of focus of the beam forming the target. An associated mask for forming such a target, and a substrate having such a target.