SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING A VERTICAL CHANNEL

According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device comprises: a substrate having a first region and a second region; a first nanowire disposed in the first region in the direction perpendicular to an upper surface of the substrate; a second nanowire disposed in the second region in the direction perpendicular to the upper surface of the substrate and having the height shorter than the height of the first nanowire; first source/drain regions disposed at a top portion and a bottom portion of the first nanowire; second source/drain regions disposed at a top portion and a bottom portion of the second nanowire; a first gate electrode surrounding the first nanowire between the first source/drain regions; and a second gate electrode surrounding the second nanowire between the second source/drain regions. According to the present invention, a reliability problem including a hot carrier effect of a transistor in input/output circuit regions is solved. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자는 제1 영역 및 제2 영역을 가지는 기판, 상기 제1 영역 상에 상기 기판의 상면에 수직으로 배치된 제1 나노 와이어(nano-wire), 상기 제2 영역 상에 상기 기판의 상면에 수직으로 배치되고, 상기 제1 나노 와이어의 높이보다 낮은 높이를 가지는 제2 나노 와이어, 상기 제1 나노 와이어의 상부 및 하부에 배치된 제1 소스/드레인 영역들, 상기 제2 나노 와이어의 상부 및 하부에 배치된 제2 소스/드레인 영역들, 상기 제1 소스/드레인 영역들 사이에서 상기 제1 나노 와이어를 둘러싸는 제1 게이트 전극, 및 상기 제2 소스/드레인 영역들 사이에서 상기 제2 나노 와이어를 둘러싸는 제2 게이트 전극을 포함할 수 있다.