나노와이어/나노피라미드 형상 발광 다이오드 및 광검출기

그라파이트 기판상에서 성장된 다수의 나노와이어 또는 나노피라미드(상기 나노와이어 또는 나노피라미드는 p-n 또는 p-i-n 접합을 갖는다); 상기 그라파이트 기판과 전기 접촉하는 제1 전극; 상기 나노와이어 또는 나노피라미드의 적어도 일부의 상부와 접촉하는 광 반사층(상기 광 반사층은 임의로 제2 전극으로서 작용한다); 및 상기 나노와이어 또는 나노피라미드의 적어도 일부의 상부와 전기 접촉하는 임의의 제2 전극(상기 제2 전극은 상기 광 반사층이 전극으로서 작용하지 않을 때 필수적이다)을 포함하는 발광 다이오드 장치로서, 여기에서 상기 나노와이어 또는 나노피라미드는 하나 이상의 III-V족 화합물 반도체를 포함하고; 사용시 빛은 상기 광 반사층에 실질적으로 반대인 방향으로 상기 장치로부터 방출된다. A light emitting diode device comprising: a plurality of nanowires or nanopyramids grown on a graphitic substrate, said nanowires or nanopyramids having a p-n or p-i-n junction, a first electrode in electrical contact with said graphitic substrate; a light reflective layer in contact with the top of at least a portion of said nanowires or nanopyramids, said light reflective layer optionally acting as a second electrode; optionally a second electrode in electrical contact with the top of at least a portion of said nanowires or nanopyramids, said second electrode being essential where said light reflective layer does not act as an electrode; wherein said nanowires or nanopyramids comprise at least one group III-V compound semiconductor; and wherein in use light is emitted from said device in a direction substantially opposite to said light reflective layer.