신경형태 망

본 발명은 신경형태 침투망(100)에 관한 것이다. 상기 망은 2개 이상의 전기 접점(104A, 104B)을 갖는 기재(102); 상기 기재(102)상에 분포된 다수의 나노입자(106, 108, 100)(상기 나노입자들의 적어도 일부는 2개 이상의 전기 접점들의 2개 이상의 접점 사이에 배치되고 나노입자들의 표면 점유율은 침투 임계치의 허용오차 이내이다); 및 다르게는 서로 직접 연결되지 않는 나노입자들 또는 나노입자들의 군들 사이의 간극에 적어도 부분적으로 위치한 1개 이상의 멤리스티브 요소(116)(상기 멤리스티브 요소(들)는,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	FOSTNER SHAWN, BROWN SIMON ANTHONY, BOSE SAURABH KUMAR
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	CALCULATING COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS COMPUTING COUNTING ELECTRICITY MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PHYSICS SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES TRANSPORTING
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!