신경형태 망

본 발명은 신경형태 침투망(100)에 관한 것이다. 상기 망은 2개 이상의 전기 접점(104A, 104B)을 갖는 기재(102); 상기 기재(102)상에 분포된 다수의 나노입자(106, 108, 100)(상기 나노입자들의 적어도 일부는 2개 이상의 전기 접점들의 2개 이상의 접점 사이에 배치되고 나노입자들의 표면 점유율은 침투 임계치의 허용오차 이내이다); 및 다르게는 서로 직접 연결되지 않는 나노입자들 또는 나노입자들의 군들 사이의 간극에 적어도 부분적으로 위치한 1개 이상의 멤리스티브 요소(116)(상기 멤리스티브 요소(들)는, 증가된 활성을 갖는 1개 이상의 영구적 경로(118, 120)를 적어도 부분적으로 제공한다)를 포함한다. 본 발명은 신경형태 침투망 또는 그의 구성요소를 제조하는 방법, 및 상기 방법에 의해 제조된 신경형태 침투망에 관한 것이다. Disclosed herein is a neuromorphic percolating network (100). The network comprises a substrate (102) having at least two electrical contacts (104A, 104B); a plurality of nanoparticles (106, 108, 100) distributed on the substrate (102), at least some of the nanoparticles positioned between at least two of the at least two electrical contacts, the surface coverage of the nanoparticles within a tolerance of a percolation threshold; and at least one memristive element (116) located at least partially in a gap between nanoparticles, or groups of nanoparticles, that are not otherwise directly connected to each other, the memristive element(s) at least partially providing at least one persistent pathway (118,120) of increased activity. Disclosed herein are methods for fabricating a neuromorphic percolating network or component thereof, and neuromorphic percolating networks formed by such methods.