METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

A method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes the steps of: forming a mold structure including alternately stacked mold insulating layers and sacrificial layers on a substrate; forming a vertical structure by passing through the mold s...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KIM, BI O, CHO, YONG SEOK, KIM, JUNG HO, LEE, SUNG HAE, KIM, HYUNG JOON, RA, JOONG YUN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes the steps of: forming a mold structure including alternately stacked mold insulating layers and sacrificial layers on a substrate; forming a vertical structure by passing through the mold structure; forming lateral opening parts by removing the sacrificial layers; forming a preliminary dielectric layer in the lateral opening part; forming a dielectric layer by thermally processing the preliminary dielectric layer; removing the surface layer of the dielectric layer; forming a first conductive film covering the dielectric layer in the lateral opening parts; and forming a second conductive film covering the first conductive film and filling the lateral opening parts. Accordingly, the present invention can provide the semiconductor device advantageous for vertical scaling down. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 교대로 적층되는 몰드 절연층들 및 희생층들을 포함하는 몰드 구조체를 기판 상에 형성하는 단계, 상기 몰드 구조체를 관통하며 수직 구조체를 형성하는 단계, 상기 희생층들을 제거하여 측면 개구부들을 형성하는 단계, 상기 측면 개구부들 내에 예비 유전체층을 형성하는 단계, 상기 예비 유전체층을 열처리하여 유전체층을 형성하는 단계, 상기 유전체층의 표면층을 제거하는 단계, 상기 측면 개구부들 내에 상기 유전체층을 덮는 제1 도전막을 형성하는 단계, 및 상기 제1 도전막을 덮으며 상기 측면 개구부들을 채우는 제2 도전막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.