집적 회로 다이 컴포넌트들의 용량성 결합

집적 회로 다이 컴포넌트들 및 다른 전도성 영역들의 용량성 결합이 제공된다. 결합될 각각의 컴포넌트는 금속 패드 또는 플레이트와 같은 적어도 하나의 전도성 영역을 포함하는 표면을 갖는다. 결합될 적어도 하나의 표면 상에 유전체의 초박형 층이 형성된다. 2개의 컴포넌트, 예를 들어 각각의 다이로부터의 것이 영구적으로 함께 접촉될 때, 유전체의 초박형 층은 2개의 표면 사이에 남아, 각자의 컴포넌트의 전도성 영역들 사이에 커패시터 또는 용량성 인터페이스를 형성한다. 유전체의 초박형 층은 다양한 유전체의 다수의 층으로 구성될 수 있지만, 일 구현에서, 총 두께는 대략 50 나노미터 미만이다. 형성되는 용량성 인터페이스의 단위 면적당 커패시턴스는 초박형 층에 사용되는 유전체 재료들의 특정 유전 상수들 κ 및 그들 각자의 두께들에 좌우된다. 결합된 스택의 에지에서 전기 및 접지 연결들이 이루어질 수 있다. Capacitive coupling of integrated circuit die components and other conductive areas is provided. Each component to be coupled has a surface that includes at least one conductive area, such as a metal pad or plate. An ultrathin layer of dielectric is formed on at least one surface to be coupled. When the two components, e.g., one from each die, are permanently contacted together, the ultrathin layer of dielectric remains between the two surfaces, forming a capacitor or capacitive interface between the conductive areas of each respective component. The ultrathin layer of dielectric may be composed of multiple layers of various dielectrics, but in one implementation, the overall thickness is less than approximately 50 nanometers. The capacitance per unit area of the capacitive interface formed depends on the particular dielectric constants κ of the dielectric materials employed in the ultrathin layer and their respective thicknesses. Electrical and grounding connections can be made at the edge of the coupled stack.