device for detecting optical and manufacturing method thereof

The present invention relates to the manufacturing of a photodiode to be used in a high sensitivity optical sensor, and more specifically, to a photodetector having a backside mirror pattern of an uneven shape in order to reflect optical particles, leaked in the process of collecting optical particles that have been passed through an anti-reflective coating film and converting the same into electrical signals, to be used as electrical signals, and to a manufacturing method thereof. The photodetector of the present invention comprises: a photodiode; a coating film provided on one side of the photodiode; and a backside mirror pattern provided to face the coating film. The manufacturing method of the present invention comprises the steps of: forming a silicon oxide layer to insulate n+ and P+ regions by chemically reacting oxygen with a surface of a silicon substrate at 800 degrees or more, and doping high-concentration impurities in the silicon substrate; forming a guard ring by doping a high-concentration n+ region around an active layer; forming an anti-reflective coating layer to increase a light absorption rate; forming a metal electrode for electrical connection with the outside; and forming an uneven portion for re-absorbing light which is internally incident and reflected from a backside. 본 발명은 고감도 광센서에 사용될 포토다이오드의 제조에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 무반사 코팅막을 통과한 광입자를 모아 전기적 신호로 변환하는 과정에서 누수되는 광입자를 반사하여 전기적 신호로 사용하기 위해 요철형태의 백사이드 미러 패턴을 구비하는 광검출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 포토다이오드; 상기 포토다이오드 일측에 구비되는 코팅막; 및 상기 코딩막에 대향되어 구비되는 백사이드 미러패턴;을 구비하고, 실리콘 기판에 800도 이상에서 산소를 실리콘 기판 표면과 화학 반응을 시켜, n+영역과 P+영역의 절연을 위해 실리콘 산화막을 형성 후 실리콘 기판의 내부에 고농도 불순물을 도핑하는 단계; 고농도 n+ 영역을 활성층 주변에 도핑하여 가드링을 형성하는 단계; 광흡수율을 높이기 위한 무반사 코팅층을 형성하는 단계; 외부와의 전기적 접속을 위한 메탈 전극을 형성하는 단계; 및 내부로 입사된 광이 back side에서 반사되는 광을 재흡수하기 위한 요철을 형성하는 단계;를 포함한다.