실리콘으로 구성되는 입자형 재료의 열처리를 위한 방법, 실리콘으로 구성되는 입자형 재료, 및 실리콘으로 구성되는 단결정을 제조하는 방법

본 발명은, 다결정 입자들로 구성되는 입자형 실리콘의 열처리를 위한 프로세스, 열-처리된 입자형 실리콘이 사용되는 과정에서 실리콘 단결정을 제조하는 프로세스, 및 열-처리된 입자형 실리콘에 관한 것이다. 입자형 실리콘의 열처리를 위한 프로세스는: 플라즈마 챔버를 통해 유동 방향을 따라 공정 기체를 통과시키는 단계; 플라즈마 챔버 내에 플라즈마 영역을 생성하는 단계; 플라즈마 챔버 내로 마이크로파 복사를 공급함에 의해 플라즈마 영역을 유지하는 단계; 입자형 실리콘을 공정 기체를 통해 900℃ 이상의 온도로 예열하는 단계; 입자들의 외측 구역을 일시적으로 용융시키기 위해 예열된 입자형 실리콘을 플라즈마 챔버 및 플라즈마 영역을 통해 공정 기체의 유동 방향과 반대로 운반하는 단계; 및 플라즈마-처리된 입자형 실리콘을 수집하는 단계 를 포함하는 것인, 다결정 입자들로 구성되는 입자형 실리콘의 열처리를 위한 프로세스에 의해 달성된다. Granular silicon which is especially useful in reducing dislocations and gas inclusions of single crystals prepared therefrom is produced by a heat treatment in which a process gas flowing through a plasma chamber heats granular silicon, and the heated granular silicon is transported counter-currently through the plasma chamber, melting an outer periphery of the granular silicon, which then recrystallizes, producing an exterior with a lower concentration of crystal grains than the interior of the granules.