Method for forming via hole and for manufacturing via contact with the same

A via hole forming method and a via contact forming method including the same are disclosed. The via hole forming method comprises: a via hole formation step of forming a via hole in a silicon (Si) substrate by punching one side surface of the silicon (Si) substrate in a thickness direction of the silicon substrate; a high-temperature oxidation step of forming an oxide layer composed of silicon dioxide (SiO_2) by oxidizing the inner circumference of the via hole and the periphery of the entrance of the via hole in an environment of 1000 to 1300 °C; and an oxide layer removal step of removing the oxide layer formed in the high-temperature oxidation step. An undercut protruding inward is formed in the periphery of the entrance of the via hole in the via hole formation step, the material of the undercut is changed from silicon (Si) to silicon dioxide (SiO_2) in the high-temperature oxidation step, and the undercut is removed in the oxide layer removal step. According to the via hole forming method, a sharp protruding portion is not formed in the periphery of the entrance of the via hole on the substrate. Thus, there is no side effect that metal plating is concentrated on the periphery of the entrance of the via hole when the substrate is plated later. 비아 홀 형성 방법 및 이를 포함하는 비아 콘택 제조 방법이 개시된다. 개시된 비아 홀 형성 방법은, 실리콘(Si) 기판의 일 측면을 실리콘 기판의 두께 방향으로 파서 실리콘 기판에 비아 홀(via hole)을 생성하는 비아 홀 생성 단계, 비아 홀의 내주면과 비아 홀의 입구의 주변부를 1000 내지 1300℃ 환경에서 산화시켜 이산화실리콘(SiO)으로 이루어진 산화물층을 형성하는 고온 산화 단계, 및 고온 산화 단계에서 형성된 산화물층을 식각하여 제거하는 산화물층 제거 단계를 포함한다. 비아 홀 생성 단계에서 비아 홀 입구의 주변부에는 내측으로 돌출된 언더컷(undercut)이 형성되고, 고온 산화 단계에서 언더컷의 재질이 실리콘(Si)에서 이산화실리콘(SiO)으로 변화되며, 산화물층 제거 단계에서 언더컷이 제거된다.