WET ETCHING METHOD AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

A wet etching method capable of minimizing occurrence of defects comprises the steps of: providing a wafer within a process bath in which an etch process is performed and an etchant is stored; supplying a first additive into the process bath to increase concentration of a specific substance in the etchant; and supplying a second additive into the process bath to suppress a defect generated as the concentration of the specific substance in the etchant increases. Moreover, the first and second additives are separately supplied in the process bath. 습식 식각 방법은, 그 내부에서 식각 공정이 수행되는 프로세스 배스(process bath) 내에 웨이퍼를 제공하되, 상기 프로세스 배스는 그 내부에 식각액을 수용하는 것, 상기 프로세스 배스 내에 제1 첨가제를 공급하여 상기 식각액 내 특정 물질의 농도를 증가시키는 것, 및 상기 프로세스 배스 내에 제2 첨가제를 공급하여 상기 식각액 내 상기 특정 물질의 상기 농도가 증가함에 따라 발생되는 결함을 억제하는 것을 포함한다. 상기 제1 첨가제 및 상기 제2 첨가제는 상기 프로세스 배스 내에 별도로(separately) 공급된다.