SILVER PASTE AND ELECTRONIC DEVICE

Provided is a silver paste capable of forming a wiring with low electrical resistivity. The silver paste is used to form an electrode of an electronic device. The silver paste includes a first silver powder, a second silver powder having a relatively small average particle diameter with respect to the first silver powder, a binder resin, and a dispersion medium. The first silver powder satisfies the following conditions (A1) to (A4). (A1) The loss on ignition is 0.05% or less when heated to 600°C; (A2) the tap density is 5 g/cm^3 or more; (A3) the maximum aspect ratio is 1.4 or less; and (A4) the specific surface area based on the BET method is 0.8 m^2/g or less. The second silver powder satisfies the following condition (B1). (B1) The loss on ignition is 0.05% or less when heated to 600°C. The ratio (D_L50/D_S50) of the average particle diameter (D_L50) of the first silver powder to the average particle diameter (D_S50) of the second silver powder is 5 or more. [과제] 전기 저항률이 낮은 배선을 형성 가능한 은 페이스트를 제공한다. [해결 수단] 본 발명에 의해 전자 소자의 전극을 형성하기 위해 이용되는 은 페이스트가 제공된다. 이 은 페이스트는 제1 은 분말과, 이 제1 은 분말에 대해 상대적으로 평균 입자 지름이 작은 제2 은 분말과, 바인더 수지와, 분산매를 포함한다. 제1 은 분말은 하기의 (A1)∼(A4)의 조건을 모두 만족한다. (A1) 600℃까지 가열하였을 때의 강열 감량이 0.05% 이하이다; (A2) 탭 밀도가 5 g/㎤ 이상이다; (A3) 최대 어스펙트 비가 1.4 이하이다; (A4) BET 법에 기초하는 비표면적이 0.8 ㎡/g 이하이다. 제2 은 분말은 (B1) 600℃까지 가열하였을 때의 강열 감량이 0.05% 이하이다. 그리고, 제1 은 분말의 평균 입자 지름(D)과 제2 은 분말의 평균 입자 지름(D)의 비(D/D)는 5 이상이다.