WAFER DICING METHOD

A wafer cutting method of the present invention comprises the following steps of: providing a wafer; and performing a cutting step and a pressure contacting step. The wafer has a plurality of dies and a metal layer. The metal layer is formed on a cutting street between the adjacent two dies. The metal layer is cut along the cutting street with a cutting blade in the cutting step, and a plurality of cutting grooves are formed on the wafer. The cut metal layer leaves a plurality of metal remaining parts on the plurality of dies, and performs pressure contact with the plurality of metal remaining parts by using a brush along the cutting groove in the pressure contacting step, so that the metal remaining part does not protrude from a surface of each die. 본 발명의 웨이퍼 절단 방법은 웨이퍼를 제공하는 단계; 및 절단 단계와 가압접촉 단계를 진행하는 단계를 포함하고, 상기 웨이퍼는 복수의 다이 및 금속층을 구비하고, 상기 금속층은 인접한 2개의 상기 다이 사이의 절단 스트리트에 형성되고, 상기 절단 단계에서는 절단 날로 상기 절단 스트리트를 따라 상기 금속층을 절단하여, 상기 웨이퍼에 복수의 절단홈이 형성되게 하고, 절단된 상기 금속층은 복수의 금속 잔류부를 상기 복수의 다이에 남기고, 상기 가압접촉 단계에서는 브러시로 상기 절단홈를 따라 상기 복수의 금속 잔류부에 가압접촉시켜, 상기 각 금속 잔류부가 상기 각 다이의 표면에 돌출되지 않게 한다.