METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE INCLUDING A STAIR STEP STRUCTURE AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a method of forming a semiconductor device structure, which comprises the steps of: forming a stack structure which includes layers, each independently including a sacrificial structure and an insulating structure longitudinally adjacent to the sacrificial structure, on a substrate; forming a masking structure on a portion of the stack structure; forming a photoresist on the masking structure and on additional portions of the structure which are not covered by the masking structure; and allowing the photoresist and the stack structure to undergo a series of material removal processes to form a stair step structure by selectively removing portions of the photoresist and portions of the stack structure which are not covered by at least one of the masking structure and the remaining portions of the photoresist. A semiconductor device and an additional method of forming a semiconductor device structure are also described. 반도체 장치 구조물을 형성하는 방법은, 기판 위에 스택 구조물을 형성하는 단계 - 스택 구조물은 희생 구조물 및 희생 구조물에 종방향으로 인접한 절연 구조물을 각각 독립적으로 포함하는 층들을 포함함 - 를 포함한다. 마스킹 구조물은 스택 구조물의 부분 위에 형성된다. 포토레지스트는 마스킹 구조물 위에, 그리고 마스킹 구조물에 의해 커버되지 않은 스택 구조물의 추가적인 부분 위에 형성된다. 포토레지스트와 스택 구조물은, 포토레지스트의 부분과 하나 이상의 마스킹 구조물에 의해 커버되지 않은 스택 구조물의 부분을 선택적으로 제거하여서, 스테어 스텝 구조물을 형성하기 위해 포토레지스트의 잔여 부분을 남기기 위해, 일련의 재료 제거 프로세스를 겪도록 한다. 반도체 장치, 그리고 반도체 장치 구조물을 형성하는 추가적인 방법도 기술된다.