PROCESSING METHOD OF A WAFER

The present invention relates to a processing method of a wafer, which divides a wafer into chips while suppressing defects or unnecessary cracks. The processing method of a wafer having a surface on which each device is formed in each region divided by a plurality of crossing streets, comprises: a surface protective tape attaching step of attaching a surface protective member having a high rigidity material on a surface of a wafer; a modified layer forming step of forming a modified layer inside the wafer by irradiating, with a laser beam of a wavelength having a transmittance to the wafer, the back side of the wafer along the street, after the surface protective tape attaching step is performed; and a grinding step of grinding the wafer from the back side thereof to be thinned, after the modified layer forming step is performed. In the modified layer forming step or the grinding step, a crack extending from the modified layer to the surface of the wafer is formed; and in the grinding step, the wafer is divided using the crack as a boundary to form individual chips. (과제) 결손이나 불필요한 크랙의 발생을 억제하면서 웨이퍼를 칩으로 분할한다. (해결 수단) 교차하는 복수의 스트리트에 의해 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 표면을 갖는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼의 그 표면에 고강성 기재를 갖는 표면 보호 부재를 첩착하는 표면 보호 부재 첩착 스텝과, 그 표면 보호 부재 첩착 스텝을 실시한 후, 웨이퍼에 대해 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 그 스트리트를 따라 웨이퍼의 이면측으로부터 조사하여 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 개질층 형성 스텝과, 그 개질층 형성 스텝을 실시한 후, 웨이퍼를 그 이면측으로부터 연삭하여 박화하는 연삭 스텝을 구비하고, 그 개질층 형성 스텝 또는 연삭 스텝에서는, 그 개질층으로부터 그 웨이퍼의 표면에 이르는 크랙을 형성하고, 그 연삭 스텝에 있어서는, 그 크랙을 경계로 하여 웨이퍼가 분할되어 개개의 칩이 형성된다.