리소그래피 장치, 투영 시스템, 마지막 렌즈 요소, 액체 제어 부재, 및 디바이스 제조 방법

리소그래피 장치, 침지 리소그래피 장치와 함께 사용되는 투영 시스템, 투영 시스템을 위한 마지막 렌즈 요소, 액체 제어 부재 및 디바이스 제조 방법이 개시된다. 일 구성에서, 리소그래피 장치는 투영 시스템을 통해 기판(W)의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔(B)을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)을 포함한다. 액체 한정 구조체(12)는 투영 시스템과 기판 사이의 공간(10)에 침지 액체를 한정한다. 투영 시스템은 출구 표면을 통해 패터닝된 방사선 빔을 투영하기 위한 출구 표면(104); 및 액체 한정 구조체와 대향하는 추가...

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Hauptverfasser: BOUMAN WILLEM JAN, ROPS CORNELIUS MARIA, POLET THEODORUS WILHELMUS
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:리소그래피 장치, 침지 리소그래피 장치와 함께 사용되는 투영 시스템, 투영 시스템을 위한 마지막 렌즈 요소, 액체 제어 부재 및 디바이스 제조 방법이 개시된다. 일 구성에서, 리소그래피 장치는 투영 시스템을 통해 기판(W)의 타겟부 상으로 패터닝된 방사선 빔(B)을 투영하도록 구성되는 투영 시스템(PS)을 포함한다. 액체 한정 구조체(12)는 투영 시스템과 기판 사이의 공간(10)에 침지 액체를 한정한다. 투영 시스템은 출구 표면을 통해 패터닝된 방사선 빔을 투영하기 위한 출구 표면(104); 및 액체 한정 구조체와 대향하는 추가 표면(110)을 포함한다. 추가 표면은 침지 액체에 대해 제 1 정적 후진 접촉 각도를 갖는다. 출구 표면은 침지 액체에 대해 제 2 정적 후진 접촉 각도를 갖는다. 제 1 정적 후진 접촉 각도는 제 2 정적 후진 접촉 각도보다 크고; 65°미만이다. A lithographic apparatus includes a projection system configured to project a patterned radiation beam through the projection system onto a target portion of a substrate. A liquid confinement structure confines an immersion liquid in a space between the projection system and the substrate. The projection system includes: an exit surface through which to project the patterned radiation beam; and a further surface facing the liquid confinement structure. The further surface has a first static receding contact angle with respect to the immersion liquid. The exit surface has a second static receding contact angle with respect to the immersion liquid. The first static receding contact angle is: greater than the second static receding contact angle; and less than 65 degrees.