THIN FILM TRANSISTOR GATE DRIVE ON ARRAY AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME AND FABRICATING METHOD THEREOF

본 출원은 베이스 기판; 제1 반도체 영역, 제2 반도체 영역, 및 복수의 반도체 브리지들 - 각각의 반도체 브리지는 제1 반도체 영역과 제2 반도체 영역을 연결시킴 - 을 갖는 베이스 기판 상의 활성 층 - 복수의 반도체 브리지들은 서로 이격되어 있고; 활성 층은 M1ON를 포함하는 재료로 이루어져 있으며, M1은 단일의 금속 또는 금속들의 조합이고, a>0이며 b≥0임 -; 베이스 기판으로부터 먼 쪽에 있는 활성 층의 측면 상의 에칭 스톱 층 - 제1 반도체 영역은 제1 비-중첩 부분을 갖고, 제1 비-중첩 부분의 돌출부는 베이스 기판의 평면도에서 에칭 스톱 층의 돌출부의 바깥쪽에 있으며, 제2 반도체 영역은 제2 비-중첩 부분을 갖고, 제2 비-중첩 부분의 돌출부는 베이스 기판의 평면도에서 에칭 스톱 층의 돌출부의 바깥쪽에 있음 -; 베이스 기판으로부터 먼 쪽에 있는 제1 비-중첩 부분의 측면 상의 제1 전극; 및 베이스 기판으로부터 먼 쪽에 있는 제2 비-중첩 부분의 측면 상의 제2 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 개시한다. The present application discloses a thin film transistor including a base substrate; an active layer on the base substrate having a first semiconductor region, a second semiconductor region, and a plurality of semiconductor bridges each of which connecting the first semiconductor region and the second semiconductor region; the plurality of semiconductor bridges spaced apart from each other; the active layer being made of a material including M1OaNb, wherein M1 is a single metal or a combination of metals, a>0, and b≥0; an etch stop layer on a side of the active layer distal to the base substrate; the first semiconductor region having a first non-overlapping portion, a projection of which is outside that of the etch stop layer in plan view of the base substrate; the second semiconductor region having a second non-overlapping portion, a projection of which is outside that of the etch stop layer in plan view of the base substrate; a first electrode on a side of the first non-overlapping portion distal to the base substrate; and a second electrode on a side of the second non-overlapping portion distal to the base substrate.