Multi-layered magnetic thin film stack and data storage device having the same

The present invention relates to a multi-layered magnetic thin film stack with improved element reliability, and a data storage device having the same. According to an embodiment of the present invention, the electronic device comprises: a tunneling barrier layer including a metal oxide layer as an information storage element; a magnetic fixed layer on a first surface of the tunneling barrier layer; and a magnetic free layer on a second surface opposite to the first surface of the tunneling barrier layer. At least one of the magnetic fixed layer and the magnetic free layer includes a double magnetic layer structure including: an Fe layer having a first surface being in contact with the metal oxide layer; and a Co layer being in contact with a second surface opposite to the first surface of the Fe layer. 본 발명은 다층 자기 박막 스택 및 전자 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 정보 저장 요소로서 금속 산화물 층을 포함하는 터널링 장벽층, 상기 터널링 장벽층의 제 1 면 상의 자기 고정층, 및 상기 터널링 장벽층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면 상의 자기 자유층을 포함하는 자기 터널링 접합을 포함하는 전자 장치이다. 상기 자기 고정층 및 상기 자기 자유층 중 적어도 하나는, 상기 금속 산화물층과 접하는 제 1 면을 갖는 철(Fe) 층; 및 상기 철층의 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 접하는 코발트(Co) 층을 을 포함하는 이중 자성층 구조를 포함한다.